Bosch apresenta terceira geração de chips SiC
A Bosch iniciou a introdução da terceira geração de semicondutores de carbeto de silício (SiC), uma tecnologia desenvolvida para aumentar a eficiência e a autonomia dos veículos elétricos
Os chips de carbeto de silício (SiC) desempenham um papel fundamental na melhoria da eficiência dos veículos elétricos e no aumento da sua autonomia. A Bosch deu agora mais um passo neste desenvolvimento ao iniciar a introdução da terceira geração destes semicondutores, fornecendo já amostras a fabricantes automóveis em todo o mundo.
Segundo a empresa, os novos chips serão progressivamente integrados em mais veículos elétricos nos próximos anos.
“Os semicondutores de carbeto de silício são os principais impulsionadores da eletromobilidade. Controlam o fluxo de energia e tornam-no o mais eficiente possível. Com a nossa nova geração de chips SiC, estamos a expandir de forma sistemática a nossa liderança tecnológica nesta área e a ajudar os nossos clientes a colocar na estrada veículos elétricos ainda mais potentes e eficientes”, afirmou Markus Heyn, membro do conselho de administração da Bosch e presidente da divisão Bosch Mobility.
“A nossa ambição é clara: queremos ser um fabricante líder mundial de chips SiC”, reforçou. A Bosch está, assim, a posicionar-se num mercado promissor e de elevado crescimento. Análises da empresa de estudos de mercado e consultoria Yole Intelligence preveem que o mercado global de semicondutores de potência em SiC cresça de 2,3 mil milhões de dólares norte-americanos em 2023 para cerca de 9,2 mil milhões de dólares até 2029, impulsionado principalmente pela eletromobilidade.
Mil milhões investidos na rede global de produção
Os semicondutores de carbeto de silício (SiC) comutam muito mais rapidamente e de forma mais eficiente do que os chips de silício convencionais. Reduzem as perdas de energia e permitem uma maior densidade de potência na eletrónica.
Os semicondutores de nova geração da Bosch oferecem não só uma vantagem tecnológica, mas também económica. “Os nossos chips de nova geração oferecem 20% mais desempenho e são também significativamente mais pequenos do que a geração anterior”, sublinhou.
“Esta miniaturização é a chave para uma maior eficiência de custos, uma vez que podemos produzir muito mais chips por wafer. Isto significa que estamos a desempenhar um papel fundamental em tornar a eletrónica de alto desempenho mais acessível”, destacou.
A Bosch já forneceu mais de 60 milhões de chips SiC em todo o mundo desde que a primeira geração entrou em produção em 2021.
Nos últimos anos, a Bosch avançou significativamente no desenvolvimento de chips SiC, aumentando ao mesmo tempo a sua capacidade de produção e de salas limpas. A empresa investiu cerca de 3 mil milhões de euros em semicondutores, no âmbito dos programas de financiamento europeus IPCEI (Important Projects of Common European Interest) para a microeletrónica e tecnologias de comunicação.
A sua fábrica de wafers em Reutlingen, na Alemanha, desenvolve e produz os chips SiC de terceira geração em modernos wafers de 200 milímetros. No início de 2025, a Bosch adquiriu uma segunda fábrica para produção de chips SiC em Roseville, na Califórnia, e está atualmente a equipá-la com instalações de produção de última geração e altamente complexas. A empresa está a investir mais 1,9 mil milhões de euros nesta unidade nos Estados Unidos, que irá fabricar e fornecer os seus primeiros chips SiC ainda este ano — inicialmente sob a forma de amostras para testes de clientes.
“No futuro, a Bosch irá fornecer os seus inovadores chips SiC a partir destas duas fábricas na Alemanha e nos Estados Unidos”, partilhou. Isto permitirá cadeias de abastecimento mais robustas e resilientes no contexto da rápida expansão da eletrificação da indústria automóvel. A médio prazo, a Bosch pretende expandir a sua capacidade de produção de semicondutores de potência SiC para volumes na ordem das centenas de milhões de unidades.
Processo único da Bosch é a chave do sucesso
A Bosch utiliza uma experiência de fabrico única para tornar os seus chips simultaneamente mais pequenos e mais potentes. A empresa adaptou o seu processo de gravação (etching), que existe desde 1994 e é conhecido em toda a indústria como o “processo Bosch”. Originalmente desenvolvido para sensores, este processo permite fabricar estruturas verticais de elevada precisão em carbeto de silício. Este design aumenta significativamente a densidade de potência dos chips, um fator decisivo para o desempenho superior da terceira geração.
